第一八零章 FinFET工艺(第1/2页)

作品:《大国芯工 推土机FFX 笔趣

王岸然无心公司的日常事务,每一项决策都是选择题,虽然有前世的见识,大部分他可以很容易选出最佳的答案。

不过在人事,销售,团队培养,金融等各方面,他还是小白的存在。

事实上王岸然前世一直没有企业管理的经验,虽然混上了amd的高层,但也仅仅是技术大拿。

相比于坐在办公室签字,他更喜欢留在实验室内,解决一个接着一个的技术难题。

此刻,最让他感兴趣的,莫过于芯片制造。

华芯科技的芯片加工厂已经进行了生产调试,三条生产线的表现有所差异。

来自东芝的芯片生产线,试生产的良品率就达到了60%以上,而ibm的生产线,良品率也达到了40%以上。

技术人员已经严格按操作规程作业,但要知道,芯片生产几百道工序,每道工序即便达到99%的成功率,累计到300个指数等级下去,良品率将不足0.1%。

所以每一道工序必须保证99.999999……%的准确率。

可想而知,要保证良品率,得需要付出多大的努力。

在东芝技术人员的帮助下,对intel转让的金属铝物理气相沉积技术进行改进,效果出人意料的好。

为此,王岸然还和东芝签定了补充协议,以五百万美元的代价,邀请东芝的技术人员帮忙消化intel的技术。

事实上,王岸然非常喜欢和东芝这样的公司打交道,只要有钱,总能在尽可能程度上满足你的需求,而且不折不扣。

现在的东芝日子可不好过,因为卖给苏联五轴联动机床的事,到现在老美都不愿意放过他,东芝的产品在美国是不允许售卖的,要知道这个时候的美国,是全世界半导体最大的市场,直接砍断,对东芝的影响力可谓空前。

再加上美利坚的小弟英格兰,为了表现自己对老大的衷心,带头对东芝进行封杀,还煽动英联邦的成员对东芝进行制裁。

一时间,东芝损失了全球大半的市场,以至于每年的财报上都是一长串的赤字。

与华芯科技的合作,总共可是涉及了上亿美元,这是大生意,对现在的东芝而言,尤为重要。

而且金属铝连接技术可是你intel转让的,跟东芝可没关系,东芝要做的,就是当一个老师,把华芯科技的技术人员教会该怎么使用。

两家公司一拍即合,顺利达成意向。

当然如果这么简单,华芯科技这五百万美元,花的可就有点冤枉了,成套的铝金属连接技术,只要花时间,总能得到解决。

在王岸然的办公室,东芝的技术代表桥本龟太郎,鞠躬鞠的王岸然头晕。

“岸然君,贵方要求的,与东芝公司成立合作研究机构,致力于半导体芯片加工中,金属铜物理气相沉积pdv的研究,已经得到公司的审批,东芝公司非常愿意跟华芯公司更深入的合作。”

王岸然站起身来,跟桥本龟太郎热情的握了握手。

这项合作可是花了华芯科技三十四条专利授权,加上1000万美金的技术服务费才达成的。

价值人民币上亿,贵可能贵了点,不过王岸然认为有价值,这就已经足够了。

于此同时,浸入式光刻与双工台的研究也开始进入日程,让王岸然苦恼的是,他找不到合适的技术带头人,所以一直无法推进。

不过另一项与浸入式光刻齐名的finfet生产工艺,王岸然觉的大有可为。

finfield_effecttransistor鳍式场效应晶体管,相比与mos晶体管而言,这是一款新型的晶体管模式。

是有华人科学家胡正明教授提出,并建立了系统的数学模型。

特点是工艺不变的情况下,可以在相同的面积内塞进更多的晶体管,而且漏电量和功耗同步大幅度降低。

finfet技术在9102年已经相当成熟,他本是intel于2011年第一次推出,用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上,随后大部分的半导体厂家开始加入到finfet工艺阵营当中。

技术难度比起普通的mos有所提高,工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。

对华芯科技而言,技术难点就是材料的物理气相沉积pdv技术,以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。

相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言,finfet技术犹如小学生的作业题,在现有的技术条件下就可以完成。

加上自对准双重成像技术sadp,一旦得到攻克,王岸然有信心在不调整硬件的基础上,实现800纳米制造工艺的突破,并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。

研究课题的确认,需要理论方面的支持,基于finfet工艺的bsim数学模型有现实的指导意义。

9102年,如果说一个芯片底层硬件逻辑电路工程师